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界面ナノ電子化学研究会／CROSS東海合同セミナー
2016-7-15 (金) 13:00 - 17:00
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界面ナノ電子化学研究会／CROSS東海合同セミナー
「界面ナノ電子化学における中性子解析の可能性」
趣旨：先端半導体デバイスは構造の微細化および電子材料の多様化が急速に進んでおり、半導体製造に用いられるウェットプロセス技術の開発には、固体／液体界面における現象をナノレベルで理解することが必要となっています。近年進展著しい中性子解析技術は、電子材料表面や洗浄媒体の挙動を明らかにし、次世代ウェットプロセス技術の開発に結び付く知見が得られると期待されます。本セミナーは中性子解析の基礎および最先端の成果を紹介し、ウェットプロセス技術開発への活用について議論する場を提供します。
日時
2016年7月15日（金）13:00～17:00
場所
関東化学株式会社本社
〒103-0022東京都中央区日本橋室町2-2-1室町東三井ビルディング19F
交通：銀座線・半蔵門線 三越前駅A6出口直結／総武線新日本橋駅A6出口直結
《地図》
参加費
無料（事前登録制）
※交流会参加費 事前申込：5000円 当日：6000円
申込方法
参加者の
1)所属機関 2) 部署名 3) 役職名 4) 電話番号 5) 懇親会※参加可否
を記載の上、e-mailにて下記までお申し込み下さい。
申込先：INE事務局 矢野大作（オルガノ株式会社）
e-mail：
定員
50名
主催
界面ナノ電子化学研究会（INE）
総合科学研究機構中性子科学センター（CROSS東海）
協賛
埋もれた界面のX線・中性子解析研究会
中性子産業利用推進協議会
プログラム（題目はすべて仮題）
| 13:00～13:05 | 開会挨拶 |
|---|---|
| 13:05～13:35 | ［チュートリアル］中性子反射率法の原理 山田悟史（KEK） |
| 13:35～14:35 | ［招待講演］リン脂質二分子膜中の水のダイナミクス 山田武 （CROSS東海） |
| 14:35～14:50 | 休憩 |
| 14:50～15:50 | ［招待講演］中性子反射率法による固体/液体界面の構造解析 川口大輔（九州大学） |
| 15:50～16:50 | ［招待講演］放射光・中性子を用いたシリコン表面・界面構造解析の現状と将来展望 矢代航（東北大学） |
| 16:50～17:10 | 総合討論 |
| 17:10～17:15 | 閉会挨拶 |
| 17:30～19:30 | 懇親会 |
詳細は 界面ナノ電子化学研究会のちらし のホームページをご覧ください。